硫化亜鉛は化学式ZnSを有する無機化合物である。それは本質的に亜鉛の主な形態であり、亜鉛は主に鉱酸塩の形で存在する。 続きを読みます »

テルル化鉛は鉛とテルル（PbTe）の化合物です。それは、カチオンを占めるPb原子を有するNaCl結晶構造中に結晶化し、そしてアニオン性格子を形成する。バンドギャップが0.32eVの狭いギャップ半導体である。それは鉱物アルテイトとして自然に起こります。 続きを読みます »

ジスルフィド[モリブデン（IV）硫化モリブデン、MOS 2]は、モリブデンイト中の天然に存在する無機化合物である。その結晶は六方晶積層構造を有する。 続きを読みます »

ナビウムジオブ酸ニオブ（IV）セレン化ニオブは、式NbSe 2を有する層状遷移金属ジカルコゲナイドである。ジオブシウム酸ニオブは潤滑剤であり、電荷密度波（CDW）を示す7.2K未満の温度での超伝導体 続きを読みます »

カドミウムテルライド、（CDZnTe）またはCZTは、カドミウム、亜鉛およびテルル、またはより厳密に言えば、テルル化カドミウムおよびテルル化亜鉛の合金の化合物である。直接バンドギャップ半導体 続きを読みます »

テルル化アンチモンは、テルル化合物が化学式Sb 2 Te 3を有する無機化合物である。他のPNICTOGEカルコゲナイド層状材料に当てはまるように、それは層状構造を有する灰色の結晶性固体である。層は、アンチモンと3つの原子シートの2つの原子シートからなる 続きを読みます »

テルル化カドミウム（CdTe）は、カドミウムとテルルから形成された安定な結晶性化合物です。それは主にテルル化カドミウム太陽光発電および赤外光学窓の半導体材料として使用されています。 続きを読みます »

GESBTE（ゲルマニウム - アンチモン - テルルまたはGST）は、書き換え可能な光ディスクおよび相変化メモリ用途に使用されるカルコゲナイドガラスの群からの相変化材料である。 続きを読みます »

自動車用電池の競争は、新しいエネルギー金融補助金の大きなスティックの下で数回変動します。第1の三元リチウム電池はリン酸鉄鉄リン酸鉄電池を「鉄整列」からノックし、そして今はアンダードッグのリン酸鉄電池のターン、三元リチウム電池の回転である。 続きを読みます »

セレン化ガリウム登録ガリウムセレニド（GASE）は、遷移後のモノカルコゲナイド群である。遷移金属ジカルコゲニド（TMDCs）のように、それは、層状半導体です。セレン化ガリウムでは、各個々の層は、上にSeイオンのシートを有する共有結合したスタックからなる 続きを読みます »

インジウムメタルの最も重要な用途のインジ素子なしの新材料希少金属は、インジウムスズ酸化物を合成することである。この化合物は、その光学的に透明で導電性の特性について知られており、それはタッチスクリーン材料の重要な成分になります。しかしインジウムは乏しい、E 続きを読みます »

ビスマス（III）はビスマスの重要な化合物であり、酸化ビスマスは2種類の結晶構造を有し、アルファ型およびベータ型。 βビスマス酸化物と比較して、アルファビスマス酸化物は高温でより安定しており、電子材料、サーミスタ、ガラス着色、Vのより一般的な使用を有する。 続きを読みます »

インジウム錫酸化物（ITO）は、様々な表示装置のための透明導電材料として広く使用されてきた。この材料には、導電性や柔軟性などの問題がいくつかあります。パネルサイズが大きくなると、応答性が高い。柔軟性が必要です 続きを読みます »

AZOスパッタリングターゲット、またはアルミニウムドープ酸化亜鉛ターゲットは、Al、ZnおよびO.gの元素を含み、99％、99.9％、99.99％・異形：直径≦14インチ、厚さ> = 1mm。ブロック：長さ<= 32インチ、幅≦12インチ、厚さ> = 1mm。高純度アゾスパッタリングターゲットは様々な形で利用可能です 続きを読みます »

97％Al 2 O 3 + 3％TiO 2ナノセラミック層を、プラズマ溶射によりAZ91Dマグネシウム合金の表面にスプレーした。セラミック粒径は150nmと120nmであり、コーティングの厚さは50μm~100μmであった。熱効率ηqは約65％であった。スプレーの前にサンプルの表面を100℃に予熱します。 続きを読みます »