数ブラウズ:17 著者:サイトエディタ 公開された: 2021-09-21 起源:パワード
GESBTE(ゲルマニウム - アンチモン - テルルまたはGST)は、書き換え可能な光ディスクおよび相変化メモリ用途に使用されるカルコゲナイドガラスの群からの相変化材料である。その再結晶時間は20ナノ秒で、最大35 mbit / sのビットレートを書き込み、最大106サイクルまでの上書き能力を書き込んでください。ランドグルーブ記録フォーマットに適しています。書き換え可能なDVDでよく使われます。 NドープGESBTE半導体を用いて新しい相変化メモリが可能である。合金の融点は約600℃(900K)であり、結晶化温度は100~150℃である。