ガリウム砒素（GaAs）半導体材料は、高電子移動度（シリコンの約5.7倍）、および伝統的なシリコン材料と比較して広帯域ギャップ構造を有する。 続きを読みます »

高純度の金属スパッタリングターゲット材料は、主にウエハ製造および高度な包装プロセスに使用されます。 続きを読みます »

最も称賛された例である一般的な黒化現象付近の蛍光灯ソケットでは、これは蛍光灯電極がスパッタリングされて周囲の形成に取り付けられているためである。 続きを読みます »

ニッケルと7wt％バナジウム（NIV7）は、半導体の分野で最も重要な薄膜スパッタリング合金の1つです。それは純粋なNiの望ましい化学的、電気的および光学的性質を特徴とし、追加の利点は強磁性ではない。 続きを読みます »

カルコゲナイドガラスは、カルコゲン元素：硫黄、セレン（Se）、およびテルル（TE）の混合物から製造される。ヒ素、ゲルマニウム、およびアンチモンなどの他の元素の添加は、安定したガラス形成を容易にするためにカルコゲンの鎖間に架橋を確立する。 続きを読みます »

砒素カドミウムはカドミウムとヒ素の化合物です。半導体であり、赤外線検出器、圧力センサ、磁気抵抗器、および光検出器に使用されます。 続きを読みます »

セレン化亜鉛は300℃で有意に酸化し、約500℃で塑性変形を示し、約700℃を解離させる。安全性のために、亜鉛セレンイド窓は通常の雰囲気で250℃を超えるはずではありません。 続きを読みます »

マグネトロンスパッタリングは、薄膜堆積のための非常に効果的な方法として、特に薄膜堆積および表面コーティング調製のための、特にマイクロエレクトロニクス、光学薄膜および材料表面処理の分野において、多くの分野で広くそしてうまく適用されてきた。 続きを読みます »

近年、高分子基材の機能性フィルムは、特に光学機能を有するフィルムには、様々な分野でより広く使用されている。ポリマーフィルム（PET、PC、PMMA、PVC、TACなど）は、優れた光学的および物理的および機械的性質を有する。 続きを読みます »

ガリウム砒素（GaAs）は、ガリウムとヒ素の元素から構築された化合物です。ガリウムとヒ素はそれぞれIII族と周期表のV族にあるため、それはしばしばIII - V族化合物と呼ばれる。 続きを読みます »

ジモリブデンジモリブデン（モセ2）はモリブデンとセレンの無機化合物である。その構造はMOS2のそれと同様です。このカテゴリーの化合物は遷移金属ジカルコゲナイドとして知られており、略称TMDC。 続きを読みます »

銅インジウムガリウムセレンデコンパンインジウムガリウム（DI）セレン化物（CIGS）は、銅、インジウム、ガリウム、セレンからなるI - III - VI2半導体材料である。この材料はセレン化銅の固溶体（しばしば略語「CIS」）とセレン化銅ガリウムの固溶体である。 続きを読みます »

ITOスパッタリングターゲットとITOフィルムやITOガラスなどのその誘導体は、Lifeのすべてのウォークで広く使用されています。液晶ディスプレイ（LCDS）、フラットパネルディスプレイ、プラズマディスプレイ、プラズマディスプレイとタッチ用の透明な導電性コーティングを製造するために一般的に使用されています。パネル 続きを読みます »

スパッタリングは高速イオン衝撃性の固体スパッタリングターゲットの使用であるため、表面分子は基板上に飛び散ってフィルムを形成します。スパッタリングイオンの初期運動エネルギーは約100eVです.Aはアルゴンです。 続きを読みます »

スパッタリングは、その表面が十分に高いエネルギー粒子によって固着されたときに、材料の表面から原子が噴射される物理蒸着（PVD）機構である。 続きを読みます »