ガリウム砒素は何に使用されていますか？

半導体材料であるガリウム砒素は正確に何ですか？

ガリウム砒素（GaAs）セミコンド炉材は、高い電子移動度（シリコンの約5.7倍）、そして従来のシリコン材料と比較して広帯域ギャップ構造を有する。同じ条件下ではるかに高速に電流を伝導することができます。衛星データ伝送、モバイル通信、GPSグローバルナビゲーションおよび他のフィールドにおける重要な役割。

ガリウム砒素半導体材料の重要な特徴は、直接バンドギャップなどの構造に（光子エネルギーを吸収または発光することによって、電子帯から伝導帯に直接遷移させることによって、より高い発光効率を有する）および広いバンドギャップを有する。その発光効率は、シリコンおよびゲルマニウム半導体材料の発光効率よりも高い。発光ダイオード、光検出器の製造だけでなく、光通信や他の分野で広く使用されている半導体レーザの製造にも使用できます。添加剤は、ガリウム砒素半導体材料もまた、衛星通信の分野で広く使用されている高温抵抗、低電力および他の特性を有する。

砒化ガリウム（GaAs）およびインジウム蛍光体（InP）は、マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスの塩基性材料である。ガリウム砒素は最も重要で広く使用されている化合物半導体材料であり、そして最大の生産量が最も大きいほとんどの成熟化合物半導体材料でもあります。ガリウム砒素は高い電子移動度（シリコンの5~6倍）、大きなバンドギャップ（ガリウムの1.43ev Si用の砒素と1.1eV）と直接バンドギャップであるので、半絶縁材料、低固有キャリア濃度、良好な光電特性を製造することは容易である。ガリウム砒素デバイスは良好な周波数応答、高速および高動作温度を有する。統合されたオプトエレクトロニクスのニーズは現在の最も重要な光電材料、およびシリコン材料の後の最も重要な超小型電子材料である。高周波高速装置および回路の製造に適しています。

さらに、GaAs材料はまた、耐熱性、放射抵抗および磁場感受性の特性を有する。したがって、この材料からなる装置はまた特別な用途および多様性を有し、その応用は、シリコン装置およびゲルマニウム装置が到達することができない分野に延長されてきた。 1998年に世界半導体産業が景気後退していたとき、GaAs材料デバイスの販売市場はまだ有望であった[1] .oomは、GaAs材料も高融点蒸気圧などのいくつかの欠点を有し、組成を制御するのが難しいその応用程度に大きく影響する単結晶、弱い機械的強度、貧弱な完全性および高価格の遅い成長速度。そして、多くのお金が開発と研究に投資されました。