窒化アルミニウム（AlN）スパッタリングターゲット

特性

窒化アルミニウム（AlN）はアルミニウムの固体窒化物である。それは最大285W /（m・k）の高い熱伝導率を有し、電気絶縁体である。そのウルツテア相（W  -  AlN）は室温で約6eVのバンドギャップを有し、そして深い紫外線周波数で動作するオプトエレクトロニクスに潜在的な用途を有する。

化学式：Aln

モル質量：40.989 g / mol

外観：ホワイトから淡黄色の固体

密度：3.255 g / cm³

融点：2,500°C（4,530°F; 2,770 K）

水への溶解度：加水分解（粉末）、不溶性（単結晶）

溶解度不溶性、塩基および酸の水溶液中の加水分解の対象

バンドギャップ：6.015 EV

電子移動度：~300 cm²/（v・s）

熱伝導率：285 w /（m・k）

屈折率（ND）：2.1-2.2（結晶）1.8-1.9（アモルファス）

クリスタル構造：ウルツサイト

応用

エピタキシャル成長薄膜結晶質窒化アルミニウムは、AlNの圧電特性のためにシリコンウエハ上に堆積された弾性表面波センサ（SAW）に使用される。 1つのアプリケーションは、携帯電話で広く使用されているRFフィルタです。これは、薄膜バルク音響共振器（FBAR）と呼ばれます。これは、2つの金属層の間に挟まれた窒化アルミニウムを使用するMEMS装置である。

ALNはまた、超音波を放射して受信する圧電マイクロマシン超音波トランスデューサを構築するためにも使用され、それはメートルまでの距離にわたって空気中の距離を覆うことができる。

メタライゼーション方法は、アルミナおよび酸化ベリリウムのものと同様の電子機器用途でALNを使用できるようにするために利用可能である。カーボンナノチューブを有する等電子である無機準一次元ナノチューブとしてのAlNナノチューブは、有毒ガス用の化学センサとして示唆されている。

現在、窒化ガリウム系半導体を用いた紫外線で動作するための発光ダイオードの発光を開発し、250nmと短い波長を使用している。 2006年には、210nmにおける非効率的なAlN LED発光が報告された。