ターゲット材料の製造方法、分類および適用

の方法の方法スパッタリングターゲットmaterials

現在、ターゲット材料は主に鋳造および粉末冶金によって調製される。

鋳造方法：一定の組成比の合金原料を溶融させた後、合金溶液を型に注入してインゴットを形成し、最後に機械加工によりターゲットを鋳造して鋳造する。真空。一般的に使用される製錬法は、真空誘導の製錬、真空アークの製錬および真空電子衝撃の製錬品である。その利点は目標不純物含有量（特にガス不純物含有量）が低く、高密度であり得る。不利な点は、融点および密度の異なる2つ以上の金属について、通常の溶融法による均一な合金ターゲットを得ることが困難であることである。

粉末冶金法：ある組成比を有する合金原料を溶融し、インゴットに注ぎ、次いで粉砕する。粉砕粉末は、アイソスタティックプレスによって形成され、次いで高温で焼結され、最後にターゲット材料が形成される。その利点は、標的材料が組成物において均一であることである。短所は低密度、高不純物含有量、冷押し、真空ホットプレスおよび高温の静水圧プレスを含む一般的に使用される粉体冶金プロセスです。

スパッタリングターゲットの分類と応用

異なる材料標的によれば、金属ターゲット、セラミック（酸化物、窒化物など）標的、合金ターゲットに分けることができる。

さまざまなアプリケーションの方向によると、それは次のように分類できます。

1.半導体関連のターゲット：電極、配線フィルム：アルミニウムターゲット、銅ターゲット、金ターゲット、銀ターゲット、パラジウムターゲット、白金ターゲット、アルミニウムシリコン合金ターゲット、アルミニウムシリコン銅合金ターゲットなど蓄積電極膜：モリブデンターゲット、タングステンターゲット、チタンターゲットなどの接着フィルム：タングステンターゲット、チタンターゲットなどのコンデンサ絶縁膜：チタン酸ジルコン酸チタン酸鉛ターゲット材料。

2.磁気記録対象：垂直磁気記録フィルム：コバルト - クロム合金ターゲットなど：コバルト - Cr - Ta合金ターゲット、コバルト - Cr - Pt合金標的、コバルト - Cr - Ta白金合金標的等フィルムヘッド：コバルトタンタルクロム合金ターゲット、コバルトクロムジルコニウム合金標的など、コバルト - 白金合金標的、コバルト - パラジウム合金標的など

光記録対象：相変化CD記録膜：テルル化物ターゲット、テルライドアンチモンターゲット、ゲルマニウムアンチモン合金ターゲット、ゲルマニウムアンチモン合金ターゲットなど磁気ディスク記録フィルム：ジスプロシウム鉄コバルト合金ターゲット、鉄およびコバルト合金ターゲット、テルビウム鉄およびコバルト合金ターゲットテルビウム鉄とコバルト合金ターゲット、アルミナターゲット、酸化マグネシウムターゲット、窒化ケイ素ターゲットなど、Alターゲット、Al Tiターゲット、Al Crターゲット、金ターゲット、金合金ターゲットなど。CD保護フィルム：シリコン窒化物標的、酸化シリコン標的、硫化亜鉛標的など

表示ターゲット：透明導電膜：酸化インジウム錫ターゲット、酸化亜鉛アルミニウムターゲットなどの電極配線膜：モリブデンターゲット、タングステンターゲット、チタンターゲット、タンタルターゲット、クロムターゲット、アルミニウムターゲット、アルミニウムチタン合金ターゲット、アルミタンタルエレクトロルミネセンスフィルム：硫化亜鉛ドープマンガンターゲット、硫化亜鉛ドープテルビウムターゲット、硫化カルシウムドープユーロピウムターゲット、酸化イットリウム標的、酸化タンタルターゲット、チタン酸バリウム標的など。

5.その他の用途標的：装飾フィルム：チタンターゲット、ジルコニウムターゲット、クロムターゲット、チタンアルミニウム合金ターゲット、ステンレス鋼ターゲットなどの低抵抗膜：Ni-Cr合金ターゲット、Ni-Crケイ素合金ターゲット、Ni-Crアルミニウム合金ターゲット、Ni - Cu合金標的等超伝導フィルム：YBCOターゲット、ビスマスストロンチウムカルシウム銅酸素標的。工具めっき膜：窒化物標的、炭化物ターゲット、ホウ化物ターゲット、クロムターゲット、チタンターゲット、チタンアルミニウムターゲット、ジルコニウムターゲット、グラファイトターゲットなど。