炭化ケイ素（SiC）：第3世代半導体材料

半導体材料現像後、第1世代のシリコン半導体材料は完全な結晶に近いものであり、シリコン材料の研究も非常に徹底的に徹底されています。設計上のシリコンデバイスをベースにして、構造およびプロセスの最適化の多くの世代を経て、更新され、更新は徐々にシリコンデバイスの性能を向上させる可能性に基づいてシリコン材料の限界に近いものである。窒化ガリウム、炭化ケイ素第3世代の半導体の代表として、電力電子装置の性能をさらに向上させるために材料の優れた物理的性質を有するので、より大きな空間を提供する。

炭化ケイ素とは

SiCは、シリコン（Si）と炭素（C）からなる化合物半導体材料である。その結合力は非常に強い、化学的、化学的、機械的側面は非常に安定しています。 SiCは様々なポリタイプ（多結晶）を存在し、それらの物理的性質は異なる。 4H-SICは電源コンポーネントに最適です。

炭化ケイ素の使用は何ですか？

SiCで表される第3世代半導体電力電子機器は、電力電子機器の分野における最速の現像用電力半導体装置の1つである。炭化ケイ素は、第3世代の半導体材料の代表的な代表的なものとして、最も成熟した水晶製造技術および装置製造レベルの1つであり、そして最も広く使用されている広帯域ギャップ半導体材料は、グローバル材料、デバイスを形成した。そしてアプリケーション業界チェーン。高温高周波、放射抵抗、高出力用途用の理想的な半導体材料です。炭化ケイ素パワーデバイスは、電子機器のエネルギー消費量を大幅に減らすことができ、そのため、炭化珪素デバイスは「新エネルギー革命」を駆動する「グリーンエネルギーデバイス」とも呼ばれます。

1.半導体照明場

より高い輝度の間に基板LEDとして炭化ケイ素を使用すると、より低いエネルギー消費量、長寿命、単位チップ面積が高く、高出力LEDで非常に大きな利点があります。

2.あらゆる種類のモーターシステム

5kV高電圧印加の分野では、スイッチング損失およびサージ電圧の半導体炭化珪素パワーデバイスが印加され、スイッチング損失を減少させることができ、最大半導体炭化珪素の92％、消費電力デバイス、発熱量の削減の明らかな影響機器の設備が大幅に削減され、機器の冷却ユニットはさらに簡単になり、機器の小型化容量が大幅に低減され、放熱のための金属材料の消費が大幅に削減されます。

3.新しいエネルギー車と無停電電源およびその他の電力エレクトロニクス

新エネルギー車両業界では、インバータの半導体パワーモジュール（すなわち、モータ駆動）が、高輝度電流を扱うときに通常の産業用インバータよりもはるかに信頼性を高める必要がある。大電流パワーモジュールでは、より良好な放熱、高効率、高速、高温抵抗、高信頼性の高い半導体炭化珪素モジュールが新エネルギー車の要求を満たしています。

半導体炭化珪素パワーモジュールの小型化は、新エネルギー車両の電力損失を大幅に削減することができるので、200℃でも正常に機能することがあります。より軽量で、より小さな装置の重さが少なく、車の自重からのエネルギー消費量を削減します。

新しいエネルギー車の省エネルギーで重要な役割を果たすことに加えて、半導体炭化珪素材料は、高速レール、太陽光発電、風力発電、送電などのパワーエレクトロニクス分野における省エネおよび環境保護に優れた役割を果たしてきました。 、UPSなど。

4.電子機器を小さくする

ラップトップアダプタのサイズを80％減らし、スーツケースのサイズへの変電所を縮小します。これは炭化ケイ素半導体の刺激的な側面でもある。

中国の半導体材料の中国の注目を集めると、中国の半導体材料市場は近年急速に発展しました。なかでも、炭化ケイ素は主な懸念材である。しかし、中国の材料製造プロセスや品質が依然として解決される必要がある産業上の問題は、世界の最前線に達していません。材料製造装置は輸入に大きく依存しています。国内の半導体材料が世界の最前線に立つように徐々に解決される。