炭化ケイ素（SiC）スパッタリングターゲット

特性

Carbordum / K→R = M /としても知られる炭化ケイ素（SiC）は、シリコンと炭素を含む半導体である。それは極めてまれなミネラルモアッサナイトとして自然に起こります。

化学式：SIC.

モル質量：40.096 g・モル^{- 1}

外観：黄色から青みがかった黒、虹色の結晶

密度：3.16 g・cm^の（六角）

融点：2,830°C（5,130°F; 3,100 K）

溶解度：水中の不溶性、溶融アルカリおよび溶鋼に可溶性

電子移動度：~900 cm 2 / v・s（すべてのポリタイプ）

磁化率（χ）： - 12.8・10^にCM³/モル

屈折率（ND）：2.55（赤外線;すべてのポリタイプ）

応用

研磨剤として使用するために、合成SiC粉末は1893年以来大量生産されています。炭化ケイ素の粒子は、焼結によって互いに結合して、車のブレーキ、自動車クラッチ、弾丸の胎盤板のような高い耐久性を必要とする用途に広く使用されている非常に硬いセラミックスを形成することができる。発光ダイオード（LED）などの炭化ケイ素の電子応用（LED）および初期の無線電線の検出器は、1907年頃に最初に実証された.SICは、高温または高電圧またはその両方で動作する半導体電子機器で使用されている。炭化ケイ素の大型単結晶は、ライト法により成長させることができ、それらは合成モアッサナイトとして知られる宝石に切断することができる。