炭化ケイ素（SiC）-ウェーハ

特性

また、カーボランダム/kɑːrbərʌndəm/として知られているシリコンカーバイド（SiC）は、シリコンと炭素を含む半導体です。それは非常にまれなミネラルモアッサナイトなど自然界に存在します。

化学式：SiCの

モル質量：40.096グラム・モル^-1

外観：黄緑に青、黒、虹色の結晶へ

密度：3.16グラム・cmで^-3（16進数）。

融点：2830℃（5130°F; 3100 K）

溶解性：溶融アルカリに可溶、水に不溶、および溶融鉄

電子移動度：〜900平方センチメートル/ V・sの（すべてのポリタイプ）

磁化率（χ）： - 12.8・10^-6CM³/モル

屈折率（nD）：2.55（赤外線;すべてのポリタイプ）

応用

合成のSiC粉末を研磨材として使用するために1893年から量産されています。炭化ケイ素の粒子は、広くそのような車のブレーキ、車クラッチと防弾ベストのセラミック板等の高耐久性を必要とする用途で使用される非常に硬いセラミックを形成するために、焼結によって互いに結合することができます。このような発光ダイオード（LED）および早期ラジオにおける検出器として炭化珪素の電子アプリケーションは、最初の周り1907示されたSiCは高温または高電圧、あるいはその両方で動作する半導体用電子機器に使用されます。炭化ケイ素の大きな単結晶は、レーリー法によって成長させることができ、それらは合成モアッサナイトとして知られている宝石に切断することができます。