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特性
窒化ガリウム（GaN）は、1990年代以来の発光ダイオードで一般的に使用されている2進III / V直接バンドギャップ半導体です。化合物はウルツサイト結晶構造を有する非常に硬い材料である。その広帯域ギャップ3.4 EVは、オプトエレクトロニック[8] [9]高出力および高周波デバイスの用途のための特別な[説明]特性を提供します。
化学式：Gan.
モル質量：83.730 g / mol
外観：黄色の粉
密度：6.1 g / cm3
融点：> 1600℃
水への溶解度：不溶性
バンドギャップ：3.4 EV（直接300 K）
電子移動度：1500 cm2/（V・S）（300 K）
熱伝導率：1.3W /（cm・K）（300 K）
屈折率（ND）：2.429
クリスタル構造：ウルツサイト
応用
電離放射に対する感度は低い（他のIII族窒化物と同様に）、それを衛星のための太陽電池アレイのための適切な材料にする。軍用および宇宙用途はまた、電子が放射線環境の安定性を示したので利益を得ることができる。
GaNトランジスタは、高温ではるかに高い温度で動作し、ガリウム砒素（GaAs）トランジスタよりもはるかに高い電圧で動作することができるので、それらはマイクロ波周波数で理想的な電力増幅器を作ります。さらに、GANはTHZデバイスに有望な特性を提供します。
特性
窒化ガリウム（GaN）は、1990年代以来の発光ダイオードで一般的に使用されている2進III / V直接バンドギャップ半導体です。化合物はウルツサイト結晶構造を有する非常に硬い材料である。その広帯域ギャップ3.4 EVは、オプトエレクトロニック[8] [9]高出力および高周波デバイスの用途のための特別な[説明]特性を提供します。
化学式：Gan.
モル質量：83.730 g / mol
外観：黄色の粉
密度：6.1 g / cm3
融点：> 1600℃
水への溶解度：不溶性
バンドギャップ：3.4 EV（直接300 K）
電子移動度：1500 cm2/（V・S）（300 K）
熱伝導率：1.3W /（cm・K）（300 K）
屈折率（ND）：2.429
クリスタル構造：ウルツサイト
応用
電離放射に対する感度は低い（他のIII族窒化物と同様に）、それを衛星のための太陽電池アレイのための適切な材料にする。軍用および宇宙用途はまた、電子が放射線環境の安定性を示したので利益を得ることができる。
GaNトランジスタは、高温ではるかに高い温度で動作し、ガリウム砒素（GaAs）トランジスタよりもはるかに高い電圧で動作することができるので、それらはマイクロ波周波数で理想的な電力増幅器を作ります。さらに、GANはTHZデバイスに有望な特性を提供します。
