窒化アルミニウム応用

窒化アルミニウム粉末の圧電デバイス応用

窒化アルミニウム高い抵抗率、高い熱伝導率（8~10回のAl 2 O 3）、およびシリコンと同様の低膨張係数を持ち、高温高電力電子デバイスに理想的な材料にしています。

窒化アルミニウム粉末の電子包装基板材料

一般的に使用されているセラミック基板材料は、アルミナセラミック基板熱伝導率が低い、熱膨張係数とシリコンが一致しない。酸化ベリリウムは優れた性質を有するが、その粉末は非常に有毒である。基板材料として使用することができる既存のセラミック材料において、窒化シリコンセラミックは、最高の曲げ強度、良好な耐摩耗性、セラミック材料の最も包括的な機械的性質、そしてその熱膨張係数は最小である。窒化アルミニウムセラミックスは、高い熱伝導率、良好な熱耐衝撃性、高温が依然として良好な機械的性質を有する。窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素は、性能の観点から電子包装基板のための最も適切な材料であると言えるが、それらは一般的な問題も有することであり、価格が高すぎることである。

窒化アルミニウム粉末の発光材料に適用する

窒化アルミニウム（AlN）は、間接バンドギャップ半導体よりも高い光電変換効率を有する6.2evの最大直接バンドギャップ幅を有する。重要な青色および紫外線発光材料としては、紫外線/深紫外線発光ダイオード、紫外線レーザダイオード、紫外線検出器に用いられる。さらに、AlNは、GaNおよびINDのようなIII族窒化物化合物を有する連続的な固溶体を形成することができ、その3つまたは4つの元素合金は可視帯から深い紫外線帯への連続的な調整可能バンドギャップを達成することができ、それを重要な高性能発光材料にすることができる。 。

窒化アルミニウム粉末の基板材料に適用されます

AlN結晶は、GaN、AlGaNおよびAlNエピタキシャル材料のための理想的な基質である。サファイアまたはSiC基板と比較して、ALNはGaNとの熱整合および化学的適合性、および基板とエピタキシャル層との間のより低い応力を有する。したがって、GaNエピタキシャル基板としてのAlN結晶は、装置内の欠陥密度を大幅に低減し、装置の性能を向上させることができ、高温高周波、高出力電子デバイスの製造において適切な適用展望を有する。また、AlGaNエピタキシャル材料の高Al成分との基板は、窒化物エピタキシャル層の欠陥密度を効果的に低減し、窒化物半導体装置の性能や寿命を大幅に向上させることができる。 AlGaNに基づく高品質の毎日のブラインド検出器が正常に適用されました。

窒化アルミニウムのセラミックおよび耐火材料に使用されます

構造セラミックスの焼結に窒化アルミニウムを使用することができる。調製された窒化アルミニウムセラミックは、良好な機械的性質、Al 2 O 3およびBeoセラミックよりも高い曲げ強度だけでなく、高温および耐食性も有する。 AlNセラミックスは、るつぼ、Al蒸発皿および他の高温耐食性部分を製造するために使用することができる。さらに、純粋なAlNセラミックは、高温赤外線窓用の耐熱コーティングおよび透明セラミックス製造電子光学素子の公平な耐熱性コーティングとして使用することができる、優れた光学特性を有する無色透明結晶である。

窒化アルミニウムの複合材料

包装材料としては、エポキシ樹脂/ AlN複合材料が良好な熱伝導率および放熱性が必要であり、この要求はますます厳しくなってきている。エポキシ樹脂は、化学的性質および機械的安定性を有する一種のポリマー材料として、それは硬化、低収縮、しかし低い熱伝導率が容易である。エポキシ樹脂中に優れた熱伝導率を有するAlNナノ粒子を添加することにより、材料の熱伝導率および強度を効果的に向上させることができる。