特性
スパッタリングターゲット材料は、パネルディスプレイ、半導体、磁気記録薄膜太陽エネルギーの分野で主に使用されているスパッタリング法により堆積された薄膜の原料である。
インジウム回転ターゲットの純度は4N5であり得る。
申し込み
それは、マイクロエレクトロニクス場、平面ディスプレイおよび貯蔵に使用される一種の巨大磁気抵抗薄膜材料である。
特性
スパッタリングターゲット材料は、パネルディスプレイ、半導体、磁気記録薄膜太陽エネルギーの分野で主に使用されているスパッタリング法により堆積された薄膜の原料である。
インジウム回転ターゲットの純度は4N5であり得る。
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それは、マイクロエレクトロニクス場、平面ディスプレイおよび貯蔵に使用される一種の巨大磁気抵抗薄膜材料である。