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特性
アルミニウムまたはアルミニウム砒素（AlAs）は、ガリウム砒素とアルミニウムガリウムとのほぼ同じ格子定数を有する半導体材料であり、ガリウム砒素よりも広いバンドギャップ。
化学式：Alas.
モル質量：101.9031g / mol
外観：オレンジ色の結晶
密度：3.72 g / cm3
融点：1,740°C（3,160°F; 2,010 K）
水への溶解度：反応する
溶解度：エタノール中で反応する
バンドギャップ：2.12eV（間接）
電子移動度：200 cm 2 /（V・s）（300 K）
熱伝導率：0.9W /（CM・K）（300 K）
屈折率（ND）：3（赤外線）
申し込み
アルミニウム砒素はIII - V族化合物半導体材料であり、発光ダイオードなどの光電子デバイスの製造に有利な材料である。
砒化アルミニウムは、液体および気相エピタキシの技術または溶融成長技術などの周知の方法を用いて調製することができる。しかしながら、これらの方法によって調製されたアルミニウム砒素結晶は一般的に不安定でありそしてアルシンを生成する（灰3湿った空気にさらされると。
砒化アルミニウムは、液体および気相エピタキシの技術または溶融成長技術などの周知の方法を用いて調製することができる。しかしながら、これらの方法によって調製されたアルミニウム砒素結晶は一般的に不安定でありそしてアルシンを生成する（灰3湿った空気にさらされると。
特性
アルミニウムまたはアルミニウム砒素（AlAs）は、ガリウム砒素とアルミニウムガリウムとのほぼ同じ格子定数を有する半導体材料であり、ガリウム砒素よりも広いバンドギャップ。
化学式：Alas.
モル質量：101.9031g / mol
外観：オレンジ色の結晶
密度：3.72 g / cm3
融点：1,740°C（3,160°F; 2,010 K）
水への溶解度：反応する
溶解度：エタノール中で反応する
バンドギャップ：2.12eV（間接）
電子移動度：200 cm 2 /（V・s）（300 K）
熱伝導率：0.9W /（CM・K）（300 K）
屈折率（ND）：3（赤外線）
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アルミニウム砒素はIII - V族化合物半導体材料であり、発光ダイオードなどの光電子デバイスの製造に有利な材料である。
砒化アルミニウムは、液体および気相エピタキシの技術または溶融成長技術などの周知の方法を用いて調製することができる。しかしながら、これらの方法によって調製されたアルミニウム砒素結晶は一般的に不安定でありそしてアルシンを生成する（灰3湿った空気にさらされると。
砒化アルミニウムは、液体および気相エピタキシの技術または溶融成長技術などの周知の方法を用いて調製することができる。しかしながら、これらの方法によって調製されたアルミニウム砒素結晶は一般的に不安定でありそしてアルシンを生成する（灰3湿った空気にさらされると。
