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12158-89-3
Cu2ZnSnS4（CZTS）
2930501600PD
99.99％-99.999％
-325メッシュ（13マイクaps）
特性
銅-亜鉛スズ-硫黄化合物は、薄膜太陽電池の吸収層として使用できる直接バンドギャップ半導体です。バンドギャップ幅は1.4〜1.5eVです。
CAS＃：12158-89-3
優れた品質、モデル一式、思いやりのあるサービスを備えた当社の製品は、大多数のユーザーから信頼されており、世界中で販売されており、高い評価を得ています。お客様のご要望に応じたカスタマイズも承っております
当社の誠実さを重視した品質第一で、お客様のご相談を心よりお待ちしております。
特性
銅-亜鉛スズ-硫黄化合物は、薄膜太陽電池の吸収層として使用できる直接バンドギャップ半導体です。バンドギャップ幅は1.4〜1.5eVです。
CAS＃：12158-89-3
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