酸化インジウム（In2O3）-スパッタリングターゲット

特性

酸化インジウム（III）（In₂O₃）は化合物であり、インジウムの両性酸化物です。バンドギャップ幅が広く、抵抗率が小さく、触媒活性が高い新しいn型透明半導体機能材料であり、光電分野、ガスセンサー、触媒などで広く使用されています。上記の機能に加えて、酸化インジウム粒子サイズのダナミレベルには、ナノ材料の表面効果、量子サイズ効果、小型サイズ効果、および巨視的量子トンネル効果もあります。

化学式：で₂O₃

モル質量：277.64g / mol

外観：黄緑色無臭結晶

密度：7.179g / cm³

融点：1,910°C（3,470°F; 2,180 K）

水への溶解度：不溶性

バンドギャップ：〜3 eV（300 K）

磁化率（χ）：-56.0・10⁻⁶CM³/ mol

応用

酸化インジウムは、一部の種類の電池、可視光を透過する薄膜赤外線反射器（ホットミラー）、一部の光学コーティング、および一部の帯電防止コーティングに使用されています。酸化インジウムは、二酸化スズと組み合わせて、透明な導電性コーティングに使用される材料であるインジウムスズ酸化物（スズドープ酸化インジウムまたはITOとも呼ばれます）を形成します。

半導体では、酸化インジウムは集積回路の抵抗素子として使用されるn型半導体として使用できます。

組織学では、酸化インジウムはいくつかの染色剤の一部として使用されます。