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特性
リン化インジウム（InP）は、インジウムとリンからなる二成分半導体である。それは、GaAsとほとんどのIII-V半導体と同一のFace-Centered Cubic（Zincblende '）の結晶構造を持っています。
化学式：Inp.
モル質量：145.792 g / mol
外観：ブラックキュービッククリスタル
密度：4.81 g / cm3、 個体
融点：1,062℃（1,944°F; 1,335K）
溶解度：酸にわずかに溶解した[1]
バンドギャップ：1.344 EV（300 K;直接）
電子移動度：5400 cm 2 /（V・s）（300 K）
熱伝導率：0.68 W /（cm・k）（300 K）
屈折率（ND）：3.1（赤外線）。
3.55（632.8 nm）
クリスタル構造：亜鉛ブレンデ
申し込み
INPは、より一般的な半導体シリコンおよびガリウム砒素に対するその優れた電子速度のために、高出力および高周波電子機器で使用されている。
それを604GHzで動作させることができる記録疑似ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するために、インジウムガリウム砒素と共に使用された。
それはまた直接バンドギャップを持っています、それはレーザーダイオードのようなオプトエレクトロニクスデバイスに役立ちます。
INPは、エピタキシャルインジウムガリウム砒素ベースの光電子デバイスの基板としても使用されている。
特性
リン化インジウム（InP）は、インジウムとリンからなる二成分半導体である。それは、GaAsとほとんどのIII-V半導体と同一のFace-Centered Cubic（Zincblende '）の結晶構造を持っています。
化学式：Inp.
モル質量：145.792 g / mol
外観：ブラックキュービッククリスタル
密度：4.81 g / cm3、 個体
融点：1,062℃（1,944°F; 1,335K）
溶解度：酸にわずかに溶解した[1]
バンドギャップ：1.344 EV（300 K;直接）
電子移動度：5400 cm 2 /（V・s）（300 K）
熱伝導率：0.68 W /（cm・k）（300 K）
屈折率（ND）：3.1（赤外線）。
3.55（632.8 nm）
クリスタル構造：亜鉛ブレンデ
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INPは、より一般的な半導体シリコンおよびガリウム砒素に対するその優れた電子速度のために、高出力および高周波電子機器で使用されている。
それを604GHzで動作させることができる記録疑似ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するために、インジウムガリウム砒素と共に使用された。
それはまた直接バンドギャップを持っています、それはレーザーダイオードのようなオプトエレクトロニクスデバイスに役立ちます。
INPは、エピタキシャルインジウムガリウム砒素ベースの光電子デバイスの基板としても使用されている。
