ガリウムヒ素（GaAs）-ウェーハ

特性

ガリウムヒ素（GaAs）は、ガリウムとヒ素の元素の化合物です。閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つIII-V直接バンドギャップ半導体です。

化学式：GaAs

モル質量：144.645g / mol

外観：灰色の結晶

におい：にんにくのようなにおい

密度：5.3176g / cm³

融点：1,238°C（2,260°F; 1,511 K）

水への溶解度：不溶性

溶解性：HClに可溶

エタノール、メタノール、アセトンに不溶

バンドギャップ：1.441 eV（300 Kで）

電子移動度：9000cm2 /（V・s）（300K時）

磁化率（χ）：-16.2×10⁻⁶cgs

熱伝導率：0.56W /（cm・K）（300K時）

屈折率（nD）：3.3

結晶構造：亜鉛ブレンド

応用

ガリウムヒ素は、マイクロ波周波数集積回路、モノリシックマイクロ波集積回路、赤外線発光ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池、光学窓などのデバイスの製造に使用されます。

GaAsは、インジウムガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素などを含む他のIII-V半導体のエピタキシャル成長の基板材料としてよく使用されます。