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日本語  |
1303-11-3
in
4933300gn
99.99％-99.999％
3 mm - 6 mm
215-115-3
クラス6.1
UN1557
PG III
特性
アヒセニド、INAs、またはインジウムモノアルセニドは、インジウムとヒ素からなる半導体です。それは942℃の融点を有する灰色の立方体結晶の外観を有する。
化学式：INAS.
モル質量：189.740g / mol
密度：5.67 g / cm3
融点：942℃（1,728°F; 1,215 K）
バンドギャップ：0.354 EV（300 K）
電子移動度：40000 cm2/（V * S）
熱伝導率：0.27W /（cm * k）（300 K）
屈折率（ND）：3.51
クリスタル構造：亜鉛ブレンデ
申し込み
1~3.8μmの波長範囲については、赤外線検出器の構築には砒化インジウムが用いられる。検出器は通常太陽光発電フォトダイオードである。極低温に冷却された検出器はより低いノイズを持ちますが、InAs検出器は室温での高出力アプリケーションでも使用できます。アヒセニドインジウムはダイオードレーザーの製造にも使用されます。
特性
アヒセニド、INAs、またはインジウムモノアルセニドは、インジウムとヒ素からなる半導体です。それは942℃の融点を有する灰色の立方体結晶の外観を有する。
化学式：INAS.
モル質量：189.740g / mol
密度：5.67 g / cm3
融点：942℃（1,728°F; 1,215 K）
バンドギャップ：0.354 EV（300 K）
電子移動度：40000 cm2/（V * S）
熱伝導率：0.27W /（cm * k）（300 K）
屈折率（ND）：3.51
クリスタル構造：亜鉛ブレンデ
申し込み
1~3.8μmの波長範囲については、赤外線検出器の構築には砒化インジウムが用いられる。検出器は通常太陽光発電フォトダイオードである。極低温に冷却された検出器はより低いノイズを持ちますが、InAs検出器は室温での高出力アプリケーションでも使用できます。アヒセニドインジウムはダイオードレーザーの製造にも使用されます。
