インジウムヒ素(InAs)-インゴット

製品説明

特性


アヒセニド、INAs、またはインジウムモノアルセニドは、インジウムとヒ素からなる半導体です。それは942℃の融点を有する灰色の立方体結晶の外観を有する。


化学式:INAS.

モル質量:189.740g / mol

密度:5.67 g / cm3

融点:942℃(1,728°F; 1,215 K)

バンドギャップ:0.354 EV(300 K)

電子移動度:40000 cm 2 /(V * S)

熱伝導率:0.27W /(cm * k)(300 K)

屈折率(ND):3.51

クリスタル構造:亜鉛ブレンデ


申し込み


1~3.8μmの波長範囲については、赤外線検出器の構築には砒化インジウムが用いられる。検出器は通常太陽光発電フォトダイオードである。極低温に冷却された検出器はより低いノイズを持ちますが、InAs検出器は室温での高出力アプリケーションでも使用できます。アヒセニドインジウムはダイオードレーザーの製造にも使用されます。



MSDS.

カドミウムアンチモニド(CdSb) - パウダー

ゲルマニウムアンチモニド(GeSb)-ペレット

カドミウムアンチモン(CdSb)-ペレット

ゲルマニウムヒ化物(GeAs)-ペレット

モリブデンリン化物(MoP) - パウダー

鉛アンチモニド(PbSb) - パウダー

アンチモンヒ化物(Sb3As)-ペレット

インジウムヒ素(InAs)-ウェーハ